-
貿(mào)澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協(xié)議，提供工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協(xié)議。Innodisk（宜鼎國(guó)際）是工業(yè)級(jí)嵌入式閃存與DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)的知名供應(yīng)商，專注于企事業(yè)單位以及工業(yè)、醫(yī)療與航空航天等行業(yè)。
2022-06-06
-
Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。雙倍速率（double-data-rate），是指時(shí)鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸；同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時(shí)鐘同步的；動(dòng)態(tài)，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持?jǐn)?shù)據(jù)；隨機(jī)，是指可以隨機(jī)操作任一地址的數(shù)據(jù)。
2022-05-12
-
SRII推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造，不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動(dòng)新的架構(gòu)、材料和性能的改進(jìn)。
2022-01-26
-
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
-
美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
-
美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機(jī)構(gòu)) 成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)界首家同時(shí)聯(lián)合原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。這種獨(dú)特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
-
淺談存儲(chǔ)器芯片封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)
存儲(chǔ)器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機(jī)、電腦等電子設(shè)備，都離不開它。作為計(jì)算機(jī)的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說，存儲(chǔ)器可分為兩類：易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。其中，“易失性存儲(chǔ)器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲(chǔ)器，例如DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
-
快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時(shí)代
為了發(fā)掘宇航市場(chǎng)的潛力，衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商正通過提供增值服務(wù)，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場(chǎng)需求預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
-
AntMicro開源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對(duì)開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
-
【科普小課堂】工業(yè)級(jí)VS消費(fèi)級(jí)，一文讀懂存儲(chǔ)小秘密
面對(duì)眾多類型的高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品時(shí)，你是否曾有過“選擇困難”？遇到DRAM、存儲(chǔ)卡和固態(tài)硬盤時(shí)，你是否也曾傻傻分不清楚？沒關(guān)系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
-
漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別
從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。
2020-04-08
-
DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤驅(qū)動(dòng)器）中，具有DRAM的設(shè)備通常可以提供較高的性能。這通常是隨機(jī)性能。
2020-02-13
- 即插即用的6TOPS算力：慧為智能RK3588 SMARC核心板正式商用
- 精度與速度兼得：徴格半導(dǎo)體雙通道運(yùn)放，挑戰(zhàn)精密放大性能極限
- 創(chuàng)新汽車區(qū)控架構(gòu)配電解決方案
- CITE 2026—擘畫產(chǎn)業(yè)新圖景，鏈接全球新機(jī)遇
- 破1734億美元！韓國(guó)半導(dǎo)體出口狂飆22%，成全球經(jīng)濟(jì)低迷中的“逆增長(zhǎng)極”
- 意法半導(dǎo)體公布2025年第四季度及全年財(cái)報(bào)的發(fā)布日期與電話會(huì)議安排
- 電源環(huán)路穩(wěn)定性測(cè)量：突破反饋電阻內(nèi)置與 VOSNS 引腳限制
- 高集成度 USB 電源管理方案核心：LTC3455 特性與應(yīng)用解析
- 精準(zhǔn)測(cè)試ZSL42x芯片傳輸距離：環(huán)境與操作關(guān)鍵要點(diǎn)
- 4D成像雷達(dá)與單芯片方案：高級(jí)自動(dòng)駕駛的關(guān)鍵支撐
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
