美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 先生表示：“ 1α 節(jié)點印證了美光在 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先成就，同時也是我們對前沿設(shè)計和技術(shù)不懈追求的成果。對比我們上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%，為將來的產(chǎn)品和內(nèi)存創(chuàng)新提供了堅實的基礎(chǔ)。” 

 

美光計劃于今年將 1α  節(jié)點全面導入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應用提供更強的性能。 

 

美光繼續(xù)領(lǐng)跑多個內(nèi)存應用市場

 

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 先生表示：“我們?nèi)碌?1α 技術(shù)將為手機行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM，同時也使美光于數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費領(lǐng)域、工業(yè)和汽車領(lǐng)域的 DRAM 客戶受益匪淺。內(nèi)存和存儲預計是未來十年增長最快的半導體市場，美光憑借領(lǐng)先業(yè)界的 DRAM 和 NAND 技術(shù)，將在這個快速增長的市場中立于不敗之地。”

 

美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。美光為移動行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺，實現(xiàn)了 15% 的節(jié)能[ 與美光上一代 1z 制程移動設(shè)備 DRAM 相比，功耗降低了 15%。]，使 5G 用戶在不犧牲續(xù)航的同時能在手機上進行更多任務操作。

 

美光的 1α 先進內(nèi)存節(jié)點提供 8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現(xiàn)有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產(chǎn)品延長生命周期，并能為美光在服務器、客戶端、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的客戶提供更低功耗、更可靠的產(chǎn)品及更全面的產(chǎn)品支持，從而降低客戶再次驗證的成本。對于具備較長產(chǎn)品生命周期的汽車嵌入式解決方案、工業(yè) PC 和邊緣服務器等應用場景而言，1α 制程同樣保證了在整個系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢的總體擁有成本。

 

供應情況 

 

美光位于臺灣地區(qū)的工廠已開始批量生產(chǎn) 1α 節(jié)點 DRAM，首先出貨的是面向運算市場的DDR4  內(nèi)存以及英睿達 (Crucial) 消費級 PC DRAM 產(chǎn)品。美光同時也已開始向移動客戶提供 LPDDR4 樣片進行驗證。公司將在 2021 自然年內(nèi)推出基于該技術(shù)的更多新產(chǎn)品。

 

關(guān)于Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）

 

美光科技是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的業(yè)界領(lǐng)導廠商。憑借旗下全球性品牌 Micron®（美光）和Crucial®（英睿達），美光豐富的高性能內(nèi)存和存儲技術(shù)組合——包括 DRAM、NAND、3D XPoint™及NOR，通過改變世界使用信息的方式來豐富全人類生活。憑借逾40年的技術(shù)領(lǐng)軍地位，美光的內(nèi)存及存儲解決方案幫助移動端、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費端、工業(yè)、圖形、汽車、網(wǎng)絡(luò)等重要市場實現(xiàn)了顛覆性發(fā)展趨勢，包括人工智能、5G、機器學習和自動駕駛。美光科技的普通股在納斯達克上市交易，股票代碼是 MU。如需了解Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）的更多信息，請訪問 cn.micron.com。

 

 

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