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意法半導體突破20納米技術節(jié)點，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設?；谛录夹g的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
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主流供應商專家共話智能手機差異化創(chuàng)新設計
2013年將進入LTE智能手機開發(fā)高峰期，預計英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺解決方案供應商，相變存儲器和SSD將成為LTE智能手機的主流存儲解決方案。該如何選擇和利用這些平臺開發(fā)出有獨特賣點的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應商專家，將于12月15日下午在第四屆智能手機設計工作坊上，從平臺、芯片組、存儲器、電源管理和測試方面深度分析移動互聯(lián)下智能手機創(chuàng)新的差異化解決方案。
2012-12-04
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相變存儲器及其工作原理
相變存儲器及其工作原理
2012-11-01
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