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一顆NOR，撐起AI耳機(jī)、ADAS與HBM4服務(wù)器的底層信任
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，NOR Flash雖不如DRAM或NAND Flash廣為人知，卻憑借其“芯片內(nèi)執(zhí)行”（XIP）、高可靠性、快速啟動(dòng)和長數(shù)據(jù)保留等獨(dú)特優(yōu)勢，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI終端及AI服務(wù)器等關(guān)鍵場景中扮演著不可替代的角色。從上世紀(jì)80年代誕生至今，NOR Flash已從功能機(jī)固件存儲(chǔ)走向智能時(shí)代的高性能剛需元件。尤其在AI與自動(dòng)駕駛浪潮推動(dòng)下，其市場需求激增、價(jià)格上揚(yáng)，并催生本土MCU企業(yè)加速布局“MCU+存儲(chǔ)”生態(tài)。與此同時(shí)，3D NOR Flash技術(shù)的突破更將存儲(chǔ)密度與性能推向新高度，為行業(yè)打開全新成長空間。
2026-02-12
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從IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技術(shù)的創(chuàng)新與突破
ONFI作為閃存控制器與NAND顆粒的關(guān)鍵接口協(xié)議，其技術(shù)水平直接決定存儲(chǔ)系統(tǒng)競爭力。奎芯科技深耕ONFI IP領(lǐng)域，以領(lǐng)先技術(shù)規(guī)格、全場景工藝覆蓋及Chiplet架構(gòu)戰(zhàn)略布局構(gòu)建核心優(yōu)勢，下文將圍繞其價(jià)值、技術(shù)亮點(diǎn)、生態(tài)能力及戰(zhàn)略規(guī)劃，展現(xiàn)奎芯在高速存儲(chǔ)接口領(lǐng)域的硬核實(shí)力，為多領(lǐng)域應(yīng)用提供核心支撐。
2026-01-27
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硬核實(shí)力賦能存儲(chǔ)升級(jí)——奎芯科技ONFI IP技術(shù)解析
身處AI與高性能計(jì)算的浪潮中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)吞吐量面臨明顯瓶頸，而ONFI（Open NAND Flash Interface）作為連接閃存控制器與NAND顆粒的關(guān)鍵高速接口協(xié)議，其IP方案正是保障大規(guī)模數(shù)據(jù)高效存取、撐起SSD及各類先進(jìn)存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心技術(shù)基石?？究萍忌罡鸒NFI IP領(lǐng)域，憑借行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)規(guī)格、全工藝節(jié)點(diǎn)覆蓋能力及Chiplet架構(gòu)下的戰(zhàn)略布局，構(gòu)建起差異化競爭優(yōu)勢，為存算一體、企業(yè)級(jí)SSD等多領(lǐng)域應(yīng)用提供高性能、高可靠的定制化存儲(chǔ)接口解決方案。
2026-01-19
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NAND Flash位翻轉(zhuǎn)是什么？一文讀懂其原理與應(yīng)對
設(shè)備運(yùn)行中的“間歇性故障”往往令人困惑——開機(jī)異常、程序紊亂，可重新燒錄固件后一切又恢復(fù)正常。當(dāng)這樣的問題與NAND Flash存儲(chǔ)介質(zhì)相遇時(shí)，“位翻轉(zhuǎn)”這一易被忽視的技術(shù)現(xiàn)象，很可能就是幕后根源。本文將從NAND Flash的工作原理切入，清晰闡釋位翻轉(zhuǎn)的本質(zhì)、誘發(fā)因素，進(jìn)而聚焦ECC校驗(yàn)這一核心解決方案，并結(jié)合ZLG致遠(yuǎn)電子M3352核心版的實(shí)踐案例，帶您了解如何應(yīng)對此類存儲(chǔ)相關(guān)故障。
2025-12-16
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三星發(fā)布NAND閃存重大突破：新結(jié)構(gòu)功耗直降96%，重塑AI數(shù)據(jù)中心未來
近日，三星電子宣布在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種新型NAND閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變?nèi)斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及其他依賴存儲(chǔ)芯片的終端產(chǎn)品的未來發(fā)展路徑。
2025-11-28
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NAND價(jià)格飆升沖擊下游，手機(jī)廠商被迫“降容”應(yīng)對
近期，全球閃存市場迎來新一輪價(jià)格調(diào)整，閃迪（SanDisk）作為行業(yè)巨頭率先行動(dòng)，在11月宣布大幅上調(diào)NAND閃存合約價(jià)格，漲幅高達(dá)50%。這一舉措遠(yuǎn)超市場預(yù)期，成為今年以來的第三次漲價(jià)。此前，閃迪已在4月和9月分別執(zhí)行了10%的普漲政策。與此同時(shí)，美光、三星等存儲(chǔ)大廠也紛紛跟進(jìn)，進(jìn)一步加劇了市場的波動(dòng)。
2025-11-11
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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會(huì)議上展示了這項(xiàng)3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨(dú)立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時(shí)還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。
2025-02-24
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進(jìn)入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性，配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟，進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD，進(jìn)入商用。
2023-12-11
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漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲(chǔ)中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺(tái)，發(fā)起挑戰(zhàn)，和2016年那時(shí)的自己相比，QLC實(shí)力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發(fā)揮自身優(yōu)勢，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業(yè)的重任。
2023-11-30
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漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結(jié)構(gòu)上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實(shí)現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應(yīng)市場需求；其二是邏輯上，提升存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的位數(shù)，即由僅能存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提升閃存存儲(chǔ)容量優(yōu)化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問題
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲(chǔ)解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運(yùn)的是，NAND存儲(chǔ)介質(zhì)和控制器設(shè)計(jì)的發(fā)展意味著現(xiàn)在有更可靠和更具成本效益的選擇。
2022-10-31
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：TTL逆變器和NAND門
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。
2022-10-20
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