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基于TE mini array 的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
IC的集成度越來越高，但唯獨(dú) ESD 防護(hù)功能無法集成，卻變得更為敏感。因此對(duì)于IC的ESD防護(hù)也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護(hù)產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)。
2013-05-23
ESD TE 靜電防護(hù) USB
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CEVA推出世界首個(gè)基于軟件的Super-Resolution技術(shù)
近日，CEVA公司推出世界首個(gè)用于嵌入式應(yīng)用的基于軟件的Super-Resolution(超分辨率,SR)技術(shù)，為低功率移動(dòng)設(shè)備帶來PC系統(tǒng)同等成像性能，Super-Resolution算法可以使用低分辨率圖像傳感器來創(chuàng)建高分辨率圖像，大大節(jié)省終端設(shè)備的成本。
2013-05-22
CEVA SR技術(shù)
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液晶屏技術(shù)新里程：詳解IGZO顯示技術(shù)
IGZO是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料，IGZO技術(shù)具有低耗電量、高屏幕精度、高觸摸性能等優(yōu)勢(shì)，據(jù)稱未來iPhone將采用IGZO顯示技術(shù)，那么IGZO究竟有什么樣的獨(dú)特之處呢？與市場(chǎng)上熱門的AMOLED技術(shù)相比，又有怎樣的優(yōu)勢(shì)和不足？本文都將詳細(xì)講述。
2013-05-21
IGZO 顯示屏 液晶 顯示技術(shù)
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液晶屏技術(shù)新里程：詳解IGZO顯示技術(shù)
IGZO是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料，IGZO技術(shù)具有低耗電量、高屏幕精度、高觸摸性能等優(yōu)勢(shì)，據(jù)稱未來iPhone將采用IGZO顯示技術(shù)，那么IGZO究竟有什么樣的獨(dú)特之處呢？與市場(chǎng)上熱門的AMOLED技術(shù)相比，又有怎樣的優(yōu)勢(shì)和不足？本文都將詳細(xì)講述。
2013-05-21
IGZO 顯示屏 液晶 顯示技術(shù)
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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今年Q2起多數(shù)半導(dǎo)體元件價(jià)格將會(huì)上升
半導(dǎo)體元件價(jià)格連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長期前景有望好轉(zhuǎn)，未來四年的復(fù)合年度增長率(CAGR)預(yù)計(jì)達(dá)到5.7%。其增長將來自無線市場(chǎng)的消費(fèi)支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)τ谛庐a(chǎn)品的需求。
2013-05-16
半導(dǎo)體 市場(chǎng) 平板電腦
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來臨：IR開始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
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