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利用寄生二極管:PMOS如何實現(xiàn)毫歐級超低損耗的電源反接保護

發(fā)布時間:2026-02-26 來源:轉載 責任編輯:lily

【導讀】面對日益復雜的電路應用場景,如何在實現(xiàn)高效防反接保護的同時,兼顧低損耗、低成本以及后級器件的安全性,成為工程師面臨的關鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的“二極管串聯(lián)保險絲”方案雖然結構簡單,但在應對電源反接時存在維護成本高、無法完全消除負壓沖擊等顯著弊端,難以滿足高性能系統(tǒng)的需求。相比之下,基于PMOS管的防反接電路憑借其利用寄生二極管導通機制實現(xiàn)的超低內(nèi)阻(毫歐級)特性,不僅大幅降低了正常工作時的導通損耗,更能在電源反接瞬間迅速切斷通路,從根源上杜絕后級電路受損的風險。


我們需要根據(jù)具體的電路應用場景還有需求來選擇一個合適的二極管類型還有電源配置,來確保電路的性能和穩(wěn)定性達到最優(yōu)。


使用反接的二極管和保險絲的這個組合,當電路在正常工作的時候可以實現(xiàn)低損耗。但是當電源反接時,電順著二極管流,這樣會接近短路,導致電路中的保險絲熔斷,以此來保護電路。


但是,反接發(fā)生后,因為器件已經(jīng)熔斷,因此二極管和保險絲都需要更換,這樣大大增加了維護成本。另外,當輸入反接時會產(chǎn)生一定的負壓,后級電路的器件仍有可能損壞,因此還需要采取其他的措施來保護后級電路設備。


MOS的防反接電路


這個采用的是PMOS用來防反接的電路,它是利用PMOS的內(nèi)部寄生二極管來實現(xiàn)對后級電路的保護。當輸入電源是正接時,寄生二極管是導通,從而使得源極電壓也升高,此時柵極電壓約等于電源的負端電壓,便會使得PMOS的導通。


因為PMOS的導通以后,它的內(nèi)阻通常是在幾毫歐的范圍內(nèi),因此它的導通損耗是遠低于使用二極管時的損耗的。


當輸入電源接反時,寄生二極管便會截止,使得柵極電壓為0V,因此PMOS關斷,進而后級設備的電壓降為0V。這樣,后級器件就不會由于電源反接而受到損害。所以,這種很基本的PMOS防反接電路它是可以在電路保護方面發(fā)揮非常重要的作用。內(nèi)阻低,壓降損耗小,還保護后級電路。


注意事項


1.我們?yōu)榱烁酶行У谋Wo電路,在PMOS的防反接電路中,我們需選擇具有適當Vds值和Vgs耐壓值的PMOS。還有,選擇一個具有較低內(nèi)阻的PMOS型號,它可以進一步降低導通的損耗。


2.PMOS上面的功耗還有散熱面積大小對于電路的穩(wěn)定性華友可靠性是具有非常重要的意義。所以,我們應該合理的選擇PMOS的型號還有規(guī)格,以便它在正常工作時候不會因為過熱或者出現(xiàn)其他不良現(xiàn)象。因此我們?yōu)榱吮WC電路的穩(wěn)定性還有可靠性,還應該在電路設計時考慮到PMOS適當?shù)纳?。比如增大散熱面積。


總結

采用PMOS管構建的防反接電路,通過巧妙利用其內(nèi)部寄生二極管與柵極電壓控制邏輯,成功實現(xiàn)了“正常工作時極低損耗”與“反接時徹底關斷”的完美平衡,顯著提升了系統(tǒng)的能效比與安全性。然而,要充分發(fā)揮PMOS方案的優(yōu)勢,必須在設計階段嚴格把控器件選型,確保 V_{DS} 與 V_{GS} 耐壓值滿足應用需求,并優(yōu)先選用低 R_{DS(on)} 型號以進一步降低熱耗。同時,合理的散熱布局與足夠的散熱面積設計是保障PMOS在長時間大電流工作下穩(wěn)定性的關鍵所在。只有將科學的器件選型與嚴謹?shù)臒峁芾硐嘟Y合,才能打造出既經(jīng)濟高效又堅如磐石的電源輸入保護系統(tǒng)。


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