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SG-MLF-7039:Ironwood electronics推出48LCC封裝的10-GHz RF插座
高頻率LCC插座符合0.40吋間距48引腳無引線芯片載體。SG-MLF-7039插座采用0.563吋x0.563吋x0.081吋封裝尺寸，運(yùn)行帶寬高達(dá)10GHz，插入損耗不到1dB。
2009-09-28
SG-MLF-7039 RF 插座
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日本將投資42億日元建MEMS項(xiàng)目研發(fā)基地
日本擬設(shè)立名為“JMEC”的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)，JMEC計(jì)劃成為與IMEC一樣的產(chǎn)官學(xué)協(xié)作研究機(jī)構(gòu)，不過其研發(fā)主題與IMEC略有不同。JMEC主要以MEMS為對(duì)象，除了MEMS領(lǐng)域的尖端研發(fā)之外，還考慮與設(shè)計(jì)試制服務(wù)以及人才培養(yǎng)相結(jié)合。
2009-09-28
MEMS JMEC IMEC
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安富利電子元件被美國國家半導(dǎo)體公司評(píng)為亞太區(qū)年度最佳分銷商
美國國家半導(dǎo)體副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理余敏宏表示："美國國家半導(dǎo)體公司與安富利電子元件在亞洲區(qū)已合作十余年。雖然去年的市場環(huán)境充滿挑戰(zhàn)性，安富利仍然堅(jiān)持為客戶提供杰出的本地支持，保持高銷售業(yè)績?cè)鲩L率并在創(chuàng)造需求方面取得了優(yōu)異的成績。安富利也體現(xiàn)了其一貫的強(qiáng)而有力的承諾，堅(jiān)持為客戶和...
2009-09-28
安富利 電子元件 亞洲 高銷售
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2009年中國汽車電子產(chǎn)業(yè)將超1400億元
近年來，中國汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，特別是轎車產(chǎn)業(yè)，中國巨大的市場潛力吸引了全球眾多知名汽車廠商的目光，中國在短短幾年時(shí)間內(nèi)成為全球知名的汽車生產(chǎn)國。汽車電子市場規(guī)模連續(xù)五年增長率超過30%，2009年中國汽車電子產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)1484.3億元。
2009-09-27
汽車電子 市場規(guī)模 增長
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福特將投資5億美元擴(kuò)充印度生產(chǎn)基地
美國福特汽車（Ford Motor）宣布，將向該公司位于印度欽奈（Chennai）附近的Maraimalai Nagar工廠投資5億美元，用于更新設(shè)備和擴(kuò)大生產(chǎn)能力。
2009-09-25
福特 汽車 印度
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IHLP-6767GZ-11：Vishay新款高性能IHLP電感器
日前，Vishay宣布，推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器中最高的。
2009-09-25
Vishay IHLP 電感器 移動(dòng)設(shè)備
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中國已成為全球最大太陽能電池生產(chǎn)國
隨著全球的能源價(jià)格波動(dòng)加劇和節(jié)能減排要求日益提高，全世界新能源產(chǎn)業(yè)面臨前所未有的發(fā)展機(jī)遇。中國政府正積極支持新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，明確提出要加快發(fā)展太陽能、風(fēng)能、生物質(zhì)能等新能源產(chǎn)業(yè)建設(shè)。國家的戰(zhàn)略定位是到2050年使其占到能源消費(fèi)的40%以上。
2009-09-24
太陽能電池 新能源
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Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器
薄膜電阻器系列能可靠地替代高功率厚膜電阻，具有高額定功率和不受硫污染影響。Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器RNCP該電阻的RNCP系列提供薄膜技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，包括高功率、高穩(wěn)定性和低噪音。
2009-09-24
RNCP 薄型大功率的薄膜電阻器
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英飛凌再度稱雄功率電子市場
英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%。
2009-09-24
英飛凌 IGBT MOSFET
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