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安森美與電裝（DENSO）加強(qiáng)合作關(guān)系
安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）和一級(jí)汽車(chē)供應(yīng)商（tier-one）株式會(huì)社電裝（DENSO CORPORATION，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“電裝”）宣布加強(qiáng)在自動(dòng)駕駛（AD）和先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）技術(shù)方面的長(zhǎng)期合作關(guān)系。
2024-12-19
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如何利用英飛凌MOTIX embedded power硬件機(jī)制標(biāo)定小電機(jī)ECU
英飛凌MOTIX? MCU專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)一系列電機(jī)控制應(yīng)用的機(jī)電電機(jī)控制解決方案而設(shè)計(jì)，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車(chē)窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機(jī)量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對(duì)這些小電機(jī)進(jìn)行產(chǎn)線級(jí)別標(biāo)定。以下是一些適配MOTIX? MCU 硬件特性的標(biāo)定方法參考。
2024-12-04
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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點(diǎn)介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個(gè)工業(yè)化的新階段，人類(lèi)、環(huán)境和社會(huì)等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來(lái)工廠車(chē)間的先進(jìn)技術(shù)、機(jī)器人和智能機(jī)器中。
2024-11-28
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英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能
【2024年11月25日, 德國(guó)慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on)。
2024-11-27
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貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書(shū)探討電子設(shè)計(jì)中的電源效率與穩(wěn)健性
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書(shū)，重點(diǎn)介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來(lái)的供電：兼顧效率與穩(wěn)健性的先進(jìn)電源解決方案）這本電子書(shū)中，ADI和貿(mào)澤的主題專(zhuān)家對(duì)電源系統(tǒng)中的重要組件、架構(gòu)和應(yīng)用進(jìn)行了深入分析。
2024-11-15
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如何利用英飛凌MOTIX? embedded power硬件機(jī)制標(biāo)定小電機(jī)ECU
英飛凌MOTIX? MCU專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)一系列電機(jī)控制應(yīng)用的機(jī)電電機(jī)控制解決方案而設(shè)計(jì)，在這些應(yīng)用中，小尺寸封裝和最少數(shù)量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車(chē)窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風(fēng)扇，發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇，水泵。由于電機(jī)量產(chǎn)的參數(shù)的非一致性。需要對(duì)這些小電機(jī)進(jìn)行產(chǎn)線級(jí)別標(biāo)定。以下是一些適配MOTIX? MCU 硬件特性的標(biāo)定方法參考。
2024-11-12
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）今日宣布美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會(huì)維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專(zhuān)利。該相關(guān)專(zhuān)利對(duì)人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機(jī)器人、自動(dòng)駕駛以及其他許多技術(shù)的發(fā)展均至關(guān)重要。美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)英諾賽科）在未獲宜普公司授權(quán)的情況下將相關(guān)氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)口至美國(guó)。
2024-11-11
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基于GPU器件行為的創(chuàng)新分布式功能安全機(jī)制為智能駕駛保駕護(hù)航
隨著汽車(chē)智能化程度的快速提高，大量新的處理器和系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）被廣泛引入到車(chē)輛中，無(wú)論是在駕駛還是座艙等場(chǎng)景，無(wú)論采用域控制器模式還是新興的中央控制單元模式，都無(wú)一例外地在考慮加入更加智能化的新功能。但是隨之而來(lái)的是這些控制單元中的相關(guān)芯片的系統(tǒng)級(jí)故障或意外行為可能引起的危險(xiǎn)，因此需要發(fā)現(xiàn)這些故障或可能的意外并提供相應(yīng)的保護(hù)措施，這個(gè)過(guò)程就是為汽車(chē)芯片建立和提供功能安全（Functional Safety，亦簡(jiǎn)稱(chēng)FuSa）解決方案。
2024-10-12
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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國(guó)際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡(jiǎn)稱(chēng)QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
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貿(mào)澤電子對(duì)FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專(zhuān)訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專(zhuān)訪。這家非營(yíng)利機(jī)構(gòu)致力于通過(guò)機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來(lái)，貿(mào)澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協(xié)助該機(jī)構(gòu)每年持續(xù)激發(fā)數(shù)十萬(wàn)年輕人的創(chuàng)新靈感，培養(yǎng)他們?nèi)娴腟TEM和生活技能。
2024-09-09
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2024CIOE中國(guó)光博會(huì) | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國(guó)深圳光電博覽會(huì)(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個(gè)全球光電科技匯聚的盛會(huì)上，傲科光電將展示業(yè)界領(lǐng)先的400G/800G/1.6T 應(yīng)用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類(lèi)似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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