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Zinc Air Prismatic：勁量最新推出高性能電池
近日，電池廠商Energizer(勁量)宣布將在明年的International CES上發(fā)布一款高能量電池- Zinc Air Prismatic.這種電池主要用于移動(dòng)數(shù)碼娛樂(lè)設(shè)備，并可以由廠商自主定義電池尺寸以減小設(shè)備體積，能量方面，Zinc Air Prismatic的能量密度是相同大小常規(guī)堿性或鋰離子電池的3倍，可以說(shuō)是電池行業(yè)的一次進(jìn)步。
2008-12-17
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Tronics成立子公司TronicsMEMS 就近服務(wù)美國(guó)市場(chǎng)
據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，法國(guó)MEMS元器件供應(yīng)商Tronics Microsystems SA日前宣布在美國(guó)德州Richardson成立了子公司Tronics MEMS，為美國(guó)MEMS客戶(hù)提供原型器件、認(rèn)證及量產(chǎn)服務(wù)。
2008-12-17
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惠普等開(kāi)發(fā)出柔性電子紙
美國(guó)惠普和美國(guó)亞利桑那大學(xué)（Arizona State University，亞歷桑那州立大學(xué)）正式宣布，開(kāi)發(fā)出了掉在地上也不會(huì)損壞的柔性電子紙。該電子紙為有源矩陣型，不過(guò)沒(méi)有公開(kāi)尺寸和分辨率等。
2008-12-16
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英特爾開(kāi)發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布，他們?cè)谕ㄍ庥?jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱(chēng)，公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管（APD）的性能世界紀(jì)錄，頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
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NEC東金將開(kāi)始量產(chǎn)透磁率為100的無(wú)鹵防噪音薄膜
NEC東金開(kāi)發(fā)出提高了噪音抑制效果的無(wú)鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開(kāi)始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號(hào)波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品。
2008-12-10
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混亂的FPD市場(chǎng)促進(jìn)企業(yè)推陳出新
“2008年第二季度各公司紛紛增產(chǎn)大尺寸液晶面板，結(jié)果導(dǎo)致第四季度不得不大幅減產(chǎn)。09年仍將持續(xù)這一狀況，面板供應(yīng)鏈的情況正在發(fā)生巨大變化。在這種混亂的狀況下，通過(guò)變更生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現(xiàn)推陳出新的企業(yè)才能夠生存”。日本Techno System Research的林秀介在該公司主辦的“第三屆TSR研討會(huì)”上如是說(shuō)。
2008-12-09
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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明年夏普或?qū)⒅氐翘?yáng)能電池產(chǎn)量全球首位
法國(guó)調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole)的數(shù)據(jù)顯示，2008年夏普排名全球太陽(yáng)能電池生產(chǎn)能力的首位(《PV Fab Database 2008 IV日語(yǔ)版》)。然而，夏普的實(shí)際生產(chǎn)量在2007年被德國(guó)Q-Cells公司超過(guò)。2008年很有可能被中國(guó)的尚德電力(Suntech Power)趕超，從而下滑到第3位。其主要原因是多晶硅原料供應(yīng)不足。
2008-12-08
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汽車(chē)電子行業(yè)未來(lái)兩年可能出現(xiàn)“傷亡”
在日前于法國(guó)巴黎舉行的國(guó)際汽車(chē)電子會(huì)議上，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics的分析師Ian Riches預(yù)測(cè)，汽車(chē)電子市場(chǎng)雖然可望持續(xù)成長(zhǎng)，但在接下來(lái)的兩年內(nèi)恐怕也會(huì)出現(xiàn)“傷亡”。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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三星SDI將在移動(dòng)娛樂(lè)市場(chǎng)推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會(huì)”上，韓國(guó)三星SDI移動(dòng)顯示器營(yíng)銷(xiāo)部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動(dòng)設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
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NittoDenko成立新加坡研發(fā)中心發(fā)展有機(jī)光電傳感器
日本的Nitto Denko公司在新加坡設(shè)立了Nitto Denko亞洲技術(shù)中心（NAT），這是該公司在新加坡的第二家公司，主要開(kāi)創(chuàng)和管理它的研發(fā)業(yè)務(wù)。最近NAT啟動(dòng)了Fusionopolis項(xiàng)目，旨在研發(fā)集成有機(jī)光電感應(yīng)器件，與Agency for Science, Technology and Research (A*STAR)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)所(DSI)、A*STAR 的材料研究工程研究所(IMRE)和南陽(yáng)理工大學(xué)進(jìn)行合作（NTU）。
2008-12-04
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