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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱(chēng)為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級(jí)器件
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過(guò)三星 成為消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)MEMS的最大買(mǎi)家
據(jù)iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國(guó)的三星，成為用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買(mǎi)家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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2010中國(guó)IT領(lǐng)袖峰會(huì)將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開(kāi)的2010中國(guó)（深圳）IT領(lǐng)袖峰會(huì)新聞發(fā)布會(huì)上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務(wù)副市長(zhǎng)許勤，數(shù)字中國(guó)聯(lián)合會(huì)主席吳鷹等出席了新聞發(fā)布會(huì)并回答了記者的提問(wèn)
2010-03-09
2010 中國(guó)IT 領(lǐng)袖峰會(huì) 中國(guó)經(jīng)濟(jì)
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臺(tái)灣LG電子表示今年將搶攻15%市場(chǎng)
臺(tái)灣樂(lè)金電子（LG）董事長(zhǎng)白明源近日表示，LG去年在臺(tái)灣手機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)居第四名，市占率約一成，今年將進(jìn)一步挑戰(zhàn)15%市占率的目標(biāo)，推出約30多款新手機(jī)，帶給消費(fèi)者全新品牌體驗(yàn)。
2010-03-09
臺(tái)灣 LG 白明源 手機(jī)
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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MMBD5004BRM：Diode推出四開(kāi)關(guān)二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開(kāi)關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話(huà)線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。
2010-03-09
MMBD5004BRM Diode 二極管 開(kāi)關(guān) DAA調(diào)制解調(diào)器
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